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• 3차원 관통 전극, 三次元貫通電極, 3D through-silicon via, 3D-TSV

  웨이퍼(wafer)에 관통 전극을 형성, 칩을 적층하는 기술. TSV는 패드와 단자 간 와이어 연결을 위한 공간으로 불필요한 크기를 줄인다. 또한 고성능·저전력의 특징이 있다. 이러한 TSV 기술은 메모리 반도체, 시스템 반도체, 이미지 센서(Image Sensor)들을 하나의 패키지에 통합하는 데 핵심 기술로 쓴다.